对比图
型号 IRF630 IRF630PBF
描述 STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 75 W 74 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.4 Ω 400 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 74 W
阈值电压 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A
上升时间 15 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 74 W
下降时间 - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 74 W
额定电压(DC) 200 V -
额定电流 9.00 A -
漏源击穿电压 200 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
长度 10.4 mm 10.41 mm
宽度 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -