RB520S30,115和RB520S30T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB520S30,115 RB520S30T1G BAT54XV2T1G

描述 RB520S30 系列 200 mA 低 VF MEGA 肖特基势垒整流器 - SOD-523ON SEMICONDUCTOR  RB520S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °CON SEMICONDUCTOR  BAT54XV2T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523-2

正向电压 600mV @200mA 600mV @200mA 800mV @100mA

热阻 90℃/W (RθJL) 635 ℃/W 635 ℃/W

正向电流(Max) 0.2 A 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 150℃ (Max) - -

耗散功率(Max) 500 mW 200 mW 200 mW

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 200 mA 200 mA

输出电流 - ≤200 mA ≤200 mA

针脚数 - 2 2

极性 - Standard Standard

耗散功率 - 200 mW 200 mW

反向恢复时间 - 6 ns 5 ns

正向电流 - 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 200 mA 600 mA

正向电压(Max) - 600 mV 800 mV

电容 - - 10.0 pF

无卤素状态 - - Halogen Free

负载电流 - - 0.2 A

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523-2

长度 - 1.3 mm 1.2 mm

宽度 - 0.9 mm 0.8 mm

高度 - 0.6 mm 0.6 mm

工作温度 150 ℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 125℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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