CY62146EV30LL-45BVXI和CY62147EV30LL-45BVI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62146EV30LL-45BVXI CY62147EV30LL-45BVI CY62146EV30LL-45BVXIT

描述 CY62146EV30 系列 4 Mb (256 K x 16) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态 RAM - VFBGA-484兆位( 256K ×16 )静态RAM宽电压范围: 2.20 V至3.60 V 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V静态随机存取存储器 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

供电电流 20 mA 20 mA -

位数 16 16 16

存取时间 45 ns 45 ns 45 ns

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 45.0 GHz - 45.0 GHz

内存容量 4000000 B - 4000000 B

针脚数 48 - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.2 V - -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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