NTB6413ANG和NTB6413ANT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTB6413ANG NTB6413ANT4G NVB6413ANT4G

描述 N沟道功率MOSFET的100 V, 42 A, 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩN 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 42A 3Pin D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 28 mΩ 0.0256 Ω 25.6 mΩ

耗散功率 136 W 136 W 136 W

阈值电压 - 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

上升时间 84 ns 84 ns 84 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

下降时间 71 ns 71 ns 71 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc)

极性 N-Channel N-Channel -

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 42.0 A -

额定功率(Max) 136 W 136 W -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.29 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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