IRF2907ZSPBF和STB140NF75T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2907ZSPBF STB140NF75T4 STB160N75F3

描述 N沟道 75V 160ASTB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAKN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 310 W 330 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 120 A 60.0 A

上升时间 - 140 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 310 W 330 W

下降时间 - 90 ns 15 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 310W (Tc) 330W (Tc)

额定电压(DC) - 75.0 V -

额定电流 - 120 A -

漏源极电阻 4.5 mΩ 0.0065 Ω -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 75.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

通道数 1 - -

产品系列 IRF2907ZS - -

长度 - 10.4 mm 10.75 mm

宽度 - 9.35 mm 10.4 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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