BSO200N03和NTMD4840NR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO200N03 NTMD4840NR2G FDS4897AC

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorN 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897AC  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.016 Ω 0.02 Ω

极性 N-CH Dual N-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 1560 mW 1.14 W 2 W

阈值电压 - 3 V 2 V

输入电容 840 pF 520 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 8.80 A 5.50 A 6.1A/5.2A

上升时间 - 5 ns -

输入电容(Ciss) 1010pF @15V(Vds) 520pF @15V(Vds) 1055pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W 680 mW 900 mW

下降时间 - 3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.95 W 1.6 W

通道数 - - 2

漏源击穿电压 - - 40 V

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 6.60 A - -

栅电荷 6.50 nC - -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.575 mm

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -

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