对比图
型号 IRF7749L2TRPBF IRF7779L2TRPBF IRF7749L2TR1PBF
描述 INFINEON IRF7749L2TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道INFINEON IRF7779L2TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 150 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新MOSFET，Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 15 5
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.0011 Ω 0.009 Ω 0.0011 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3.3 W 125 W 125 W
阈值电压 2.9 V 4 V 2.9 V
漏源极电压(Vds) 60 V 150 V 60 V
漏源击穿电压 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 33A 67A 200A
上升时间 43 ns 19 ns 43 ns
输入电容(Ciss) 12320pF @25V(Vds) 6660pF @25V(Vds) 12320pF @25V(Vds)
下降时间 39 ns 12 ns 39 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
额定功率 125 W 125 W -
针脚数 8 15 -
输入电容 12320 pF 6660 pF -
长度 9.15 mm - 9.15 mm
宽度 7.1 mm - 7.1 mm
高度 0.74 mm - 0.7 mm
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17