PSMN057-200B,118和STB40NF20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN057-200B,118 STB40NF20 STB75NF20

描述 D2PAK N-CH 200V 39ASTMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 160 W 190 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 39.0 A 25.0 A, 40.0 A 47.0 A, 75.0 A

输入电容(Ciss) 3750pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 250 W 160 W 190 W

耗散功率(Max) 250W (Tc) 160W (Tc) 190W (Tc)

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.028 Ω

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源击穿电压 - 200 V 200 V

上升时间 - 44 ns 33 ns

下降时间 - 22 ns 29 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 40.0 A -

输入电容 - 2.50 nF -

栅电荷 - 75.0 nC -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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