MMBT4126和MMBT4126-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT4126 MMBT4126-7-F MMBT4126LT3G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT4126  双极性晶体管, PNP -25V SOT-23双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -25V 300mW小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz

额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V -

额定电流 -500 mA -200 mA -

额定功率 - 0.3 W -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 350 mW 0.2 W 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 360 360 -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 200 mW 225 mW

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 120 - -

长度 2.92 mm 3.05 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 2.64 mm

高度 0.93 mm 1 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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