对比图
型号 IPI60R280C6 IPI60R299CP IPI60R280C6XKSA1
描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 11.0 A -
漏源极电阻 - 0.299 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 104 W 96 W 104 W
阈值电压 - 3 V -
输入电容 - 1.10 nF -
栅电荷 - 29.0 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 13.8A 11.0 A 13.8A
上升时间 11 ns 5 ns -
输入电容(Ciss) 950pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 950pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 104 W 96 W -
下降时间 12 nS 5 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 104 W 96 W 104W (Tc)
额定功率 - - 104 W
长度 10.2 mm 10.2 mm 10.36 mm
宽度 4.5 mm 4.5 mm 4.57 mm
高度 9.45 mm 9.45 mm 11.17 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -