Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
立创商城:
N沟道 600V 11A
欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 11A I2PAK-3 CoolMOS CP
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
漏源极电阻 0.299 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.10 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 96 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 96 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPI60R299CP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI60R280C6 英飞凌 | 类似代替 | IPI60R299CP和IPI60R280C6的区别 |