BS108和BS108,126

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BS108 BS108,126

描述 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorSPTAmmo N-CH 200V 0.3A

数据手册 --

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-92-3

通道数 - 1

漏源极电阻 - 5 Ω

极性 - N-CH

耗散功率 - 1 W

漏源极电压(Vds) - 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

连续漏极电流(Ids) - 0.3A

输入电容(Ciss) - 120pF @25V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 1W (Ta)

额定电流 - -

栅源击穿电压 - -

长度 - 4.8 mm

宽度 - 4.2 mm

高度 - 5.2 mm

封装 - TO-92-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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