对比图
型号 2N7002K-7 DMP2012SN-7 2N7002K-E3
描述 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3MOSFET P-CH 20V 700mA SC59-3SOT-23 N-CH 60V 0.3A
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
通道数 1 1 -
漏源极电阻 2 Ω 300 mΩ -
极性 N-Channel P-Channel N-CH
耗散功率 350 mW 0.5 W -
输入电容 - 178.5 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 20 V 60 V
漏源击穿电压 - 20 V -
栅源击穿电压 - ±12.0 V -
连续漏极电流(Ids) 300 mA -700 mA 0.3A
上升时间 3.4 ns 20 ns -
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 180pF @10V(Vds) 30pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 370 mW 500 mW -
下降时间 9.9 ns 70 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 370mW (Ta) 500 mW 350 mW
针脚数 3 - -
阈值电压 1.6 V - -
长度 - 3.1 mm -
宽度 1.3 mm 1.7 mm -
高度 - 1.3 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -