对比图
型号 RUF025N02FRATL RUR040N02FRATL RUF025N02TL
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 20 V, 0.039 ohm, 4.5 V, 1.3 VROHM RUR040N02FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1.3 V 新ROHM RUF025N02TL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 20 V, 0.039 ohm, 4.5 V, 300 mV
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TUMT-3 TSMT SMD-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.039 Ω 0.025 Ω 0.039 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 800 mW 1 W 800 mW
阈值电压 1.3 V 1.3 V 300 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
上升时间 15 ns - 15 ns
输入电容(Ciss) 370pF @10V(Vds) - 370pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - - 800 mW
下降时间 15 ns - 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 800 mW - 320mW (Ta)
连续漏极电流(Ids) 25A - -
长度 - - 2.1 mm
宽度 - - 1.8 mm
高度 - - 0.82 mm
封装 TUMT-3 TSMT SMD-3
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15