对比图
型号 APT21M100J IXTN21N100 APT10050JVFR
描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETSOT-227B N-CH 1000V 21ATrans MOSFET N-CH 1kV 19A 4Pin SOT-227
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 3 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 21.0 A 21.0 A 19.0 A
耗散功率 462 W 520W (Tc) 450 W
输入电容 8.50 nF - 7.90 nF
栅电荷 260 nC - 500 nC
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1.00 kV
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21.0 A 19.0 A
上升时间 35 ns 50.0 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 8500pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 462W (Tc) 520W (Tc) 450000 mW
额定功率 - 520 W -
极性 - N-Channel -
额定功率(Max) - 520 W -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free