对比图
型号 ADR434BR ADR434TRZ-EP-R7 ADR434TRZ-EP
描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability串联 10mAANALOG DEVICES ADR434TRZ-EP 电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR434-EP系列, 4.096V, NSOIC-8
数据手册 ---
制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)
分类 电压基准芯片电压基准芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
容差 - ±0.04 % ±0.04 %
输出电压 - 4.096 V 4.096 V
输出电流 - 10 mA 10 mA
供电电流 - 800 µA 800 µA
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
输入电压(Max) - 20 V 20 V
输出电压(Max) - 4.096 V 4.0975 V
输出电压(Min) - 4.096 V 4.096 V
输出电流(Max) - 10 ma 10 mA
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
输入电压 - 6.1V ~ 18V 6.1V ~ 18V
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 125℃ (TA) -55℃ ~ 125℃
温度系数 - ±3 ppm/℃ ±1 ppm/℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20
ECCN代码 - - EAR99