对比图
型号 NSBA114EDXV6T1G PEMB20,115 NSBA124EDXV6T5G
描述 双PNP偏置电阻晶体管 Dual PNP Bias Resistor TransistorsSOT-666 PNP 50V 100mASOT-563 PNP 50V 100mA
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 -
封装 SOT-563-6 SOT-666-6 SOT-563
额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V
额定电流 -100 mA - -100 mA
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.5 W 300 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 30 @20mA, 5V 60 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) 35 - -
额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 500 mW 300 mW -
长度 1.6 mm - -
宽度 1.2 mm - -
高度 0.55 mm 0.6 mm -
封装 SOT-563-6 SOT-666-6 SOT-563
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -