BC636TA和BC636TAR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC636TA BC636TAR NTE383

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC636TA  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 25 hFETrans GP BJT PNP 45V 1A 3Pin TO-92 AmmoNTE ELECTRONICS  NTE383  双极性晶体管, 1A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) -45.0 V - 100 V

额定电流 -1.00 A - 1.00 A

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 1 W - 900 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 100 V

集电极最大允许电流 1A 1A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

直流电流增益(hFE) 25 - 160

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1 W - -

集电极击穿电压 - - 120 V (min)

长度 4.58 mm - -

宽度 3.86 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412100959

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