R1LV1616HBG-4SI#B0和R1LV1616HBG-5SI#B0

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1LV1616HBG-4SI#B0 R1LV1616HBG-5SI#B0 R1LV1616RBG-7SW

描述 SRAM,Renesas Electronics### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM,Renesas Electronics### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16Bit 70ns 48Pin TFBGA

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 48 48 -

封装 FBGA FBGA-48 BGA

时钟频率 - 1 MHz -

位数 8, 16 8, 16 -

存取时间 - 50.0 ns -

内存容量 - 16000000 B -

存取时间(Max) 45 ns 55 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 3 V -

长度 8 mm 8 mm -

宽度 9.5 mm 9.5 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 FBGA FBGA-48 BGA

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台