R1LV1616HBG-5SI#B0

R1LV1616HBG-5SI#B0图片1
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R1LV1616HBG-5SI#B0概述

SRAM,Renesas Electronics### SRAM(静态随机存取存储器)

宽温度范围 SRAM,

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 16MBIT 50NS 48FBGA


欧时:
Renesas Electronics R1LV1616HBG-5SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 16M x 1 位, 1MHz, 48针 TFBGA封装


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin FBGA


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin FBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin FBGA


Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 48-Pin FBGA


R1LV1616HBG-5SI#B0中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 1 MHz

位数 8, 16

存取时间 50.0 ns

内存容量 16000000 B

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 9.5 mm

高度 0.9 mm

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

R1LV1616HBG-5SI#B0引脚图与封装图
R1LV1616HBG-5SI#B0引脚图
R1LV1616HBG-5SI#B0封装图
R1LV1616HBG-5SI#B0封装焊盘图
在线购买R1LV1616HBG-5SI#B0
型号: R1LV1616HBG-5SI#B0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SRAM,Renesas Electronics ### SRAM(静态随机存取存储器)
替代型号R1LV1616HBG-5SI#B0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

R1LV1616HBG-5SI#B0

Renesas Electronics 瑞萨电子

当前型号

当前型号

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