BSS209PW和BSS209PWH6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS209PW BSS209PWH6327 SI1303DL-T1-E3

描述 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-Transistor20V,-0.63A,P沟道功率MOSFETMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.36Ω; ID -0.67A; SC-70 (SOT-323); PD 0.29W

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-323-3 SOT-323 SC-70-3

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -580 mA - -

耗散功率 520mW (Ta) - 0.29 W

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

上升时间 7 ns - -

输入电容(Ciss) 89.9pF @15V(Vds) - -

下降时间 4.6 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 520mW (Ta) - 290mW (Ta)

漏源极电阻 - - 0.7 Ω

封装 SOT-323-3 SOT-323 SC-70-3

长度 - - 2.2 mm

高度 - - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

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