对比图
型号 IPB072N15N3G IPI075N15N3G IPI075N15N3GXKSA1
描述 OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK-2 TO-262-3 TO-262-3
安装方式 - - Through Hole
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 300 W 300 W
额定功率 - - 300 W
漏源极电压(Vds) - - 150 V
漏源击穿电压 - - 150 V
连续漏极电流(Ids) - - 100A
上升时间 - - 35 ns
输入电容(Ciss) - - 5470pF @75V(Vds)
下降时间 - - 14 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 300W (Tc)
封装 D2PAK-2 TO-262-3 TO-262-3
长度 - - 10.2 mm
宽度 - - 4.5 mm
高度 - - 9.45 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)