对比图
型号 R1LV1616RBG-7SW R1LV1616HBG-5SI#B0 R1LV1616RBG-7SI#B0
描述 SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16Bit 70ns 48Pin TFBGASRAM，Renesas Electronics### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
封装 BGA FBGA-48 TFBGA-48
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 48 48
封装 BGA FBGA-48 TFBGA-48
长度 - 8 mm 7.5 mm
宽度 - 9.5 mm 8.5 mm
高度 - 0.9 mm 0.8 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - PB free PB free
时钟频率 - 1 MHz 1 MHz
位数 - 8, 16 8, 16
存取时间 - 50.0 ns 70 ns
内存容量 - 16000000 B -
存取时间(Max) - 55 ns 70 ns
工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
电源电压 - 3 V 2.7V ~ 3.6V
供电电流 - - 40 mA
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)