对比图
型号 FDU7030BL ISL9N310AD3 FDU8880
描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 58A ，10M N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 58A, 10m
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3
漏源极电阻 9.5 mΩ 15.0 mΩ 10.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.8 W 70 W 55W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A 35.0 A 58.0 A
下降时间 13 ns 38 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 56.0 A - 58.0 A
通道数 1 - -
输入电容 1.42 nF - 1.26 nF
栅电荷 14.0 nC - 23.0 nC
上升时间 9 ns - 91.0 ns
输入电容(Ciss) 1425pF @15V(Vds) - 1260pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W - 55 W
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc) - 55W (Tc)
封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3
长度 10.67 mm - -
宽度 4.7 mm - -
高度 16.3 mm - -
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99