IPB120N04S3-02和STB100NF04T4

对比图

型号 IPB120N04S3-02 STB100NF04T4 BUK962R1-40E,118

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorSTMICROELECTRONICS  STB100NF04T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 VD2PAK N-CH 40V 120A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 300000 mW 300 W 293W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120A 120 A 120A

输入电容(Ciss) 14300pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 13160pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300000 mW 293W (Tc)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0043 Ω -

阈值电压 - 2 V -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 19 ns 220 ns -

额定功率(Max) 300 W 300 W -

下降时间 18 ns 50 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -