JAN2N5686和JANTXV2N5686

对比图

型号 JAN2N5686 JANTXV2N5686 2N5686

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTransistor Npn Silicon 80V Ic=50A To-3 Case High Power Amplifier And Switch Low Vce(Sat)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 300 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 50A 50A -

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @25A, 2V -

额定功率(Max) - 300 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW -

封装 TO-3 TO-3 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -