IRF1405ZPBF和STP80NF55-06

对比图

型号 IRF1405ZPBF STP80NF55-06 STP150NF55

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN沟道55V - 0.005欧姆-120A DPAK / TO- 220 / TO- 247 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A DPAK/TO-220/TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -

额定电流 75.0 A 80.0 A -

漏源极电阻 4.9 mΩ 0.0065 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 230 W 300 W 300 W

产品系列 IRF1405Z - -

阈值电压 4 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 55.0 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A -

上升时间 110 ns 155 ns 180 ns

输入电容(Ciss) 4780pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 230 W 300 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 65 ns 80 ns

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -