对比图
型号 FQB5N90TM STB6NK90ZT4 FQB5N90
描述 QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。STMICROELECTRONICS STB6NK90ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 5.40 A 5.80 A 5.4A
额定电压(DC) 900 V 900 V -
额定电流 5.40 A 5.80 A -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 1.8 Ω 1.56 Ω -
耗散功率 158 W 140 W -
阈值电压 3 V 3.75 V -
漏源击穿电压 900 V 900 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
上升时间 65 ns 45 ns -
输入电容(Ciss) 1550pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 3.13 W 140 W -
下降时间 50 ns 20 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 158W (Tc) 140W (Tc) -
通道数 - 1 -
输入电容 - 1350 pF -
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 9.65 mm 9.35 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -