BSO080P03S H和BSO080P03SNTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO080P03S H BSO080P03SNTMA1

描述 INFINEON  BSO080P03S H  晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 VDSO P-CH 30V 12.6A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 P-DSO-8 PG-DSO-8

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.0067 Ω -

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 1.79 W 1.79W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 22 ns -

输入电容(Ciss) 5890pF @25V(Vds) 5890pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.79 W -

下降时间 110 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

耗散功率(Max) 1.79W (Ta) 1.79W (Ta)

连续漏极电流(Ids) - 12.6A

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

封装 P-DSO-8 PG-DSO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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