2N6111和D45H2A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6111 D45H2A 2N6111G

描述 STMICROELECTRONICS  2N6111  单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 4 MHz, 40 W, 7 A, 30 hFEPNP功率放大器 PNP Power AmplifierPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 4 MHz 25 MHz 10 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -7.00 A -8.00 A -7.00 A

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 40 W 60 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @3A, 4V 100 @8A, 5V 30 @3A, 4V

额定功率(Max) 40 W 60 W 40 W

直流电流增益(hFE) 30 100 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 60000 mW 40 W

针脚数 3 - 3

最大电流放大倍数(hFE) 150 - 150

增益频宽积 - - 10 MHz

集电极最大允许电流 - - 7A

高度 - 9.4 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.28 mm

宽度 - - 4.83 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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