对比图
型号 MJ14001 MJ14001G JANTXV2N5686
描述 高？当前互补硅功率晶体管 High?Current Complementary Silicon Power Transistors高？当前互补硅功率晶体管 High?Current Complementary Silicon Power TransistorsNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-3 TO-3 TO-3
引脚数 - 2 3
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 15 @50A, 3V 15 @50A, 3V 15 @25A, 2V
额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W
极性 - PNP NPN
耗散功率 - 300 W 300 W
集电极最大允许电流 - 60A 50A
工作温度(Max) - - 200 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 300000 mW
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -60.0 A -
封装 TO-3 TO-3 TO-3
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free
材质 - - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -