BC517和BC517RL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC517 BC517RL1G BC517ZL1

描述 达林顿晶体管( NPN硅) Darlington Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  BC517RL1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 200 MHz, 1.5 W, 1 A, 30000 hFE达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

耗散功率 625 mW 1.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 30000 @20mA, 2V 30000 @20mA, 2V 30000 @20mA, 2V

额定功率(Max) 625 mW 1.5 W 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 200 MHz 200 MHz -

耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN NPN

集电极最大允许电流 - 1A 1A

直流电流增益(hFE) - 30000 -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 8541290075 - -

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