对比图
型号 TP0610K-T1 TP0610T-G
描述 Transistor晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -60 V, 10 ohm, -10 V, -2.4 V
数据手册 --
制造商 Vishay Intertechnology Microchip (微芯)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - SOT-23-3
通道数 - -
漏源极电阻 - 10 Ω
极性 - P-CH
耗散功率 - 0.36 W
栅源击穿电压 - -
针脚数 - 3
阈值电压 - 2.4 V
漏源极电压(Vds) - 60 V
连续漏极电流(Ids) - 0.12A
上升时间 - 15 ns
输入电容(Ciss) - 60pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 360 mW
下降时间 - 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
耗散功率(Max) - 360mW (Ta)
宽度 - -
封装 - SOT-23-3
长度 - 3.04 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - -
HTS代码 - -