STF20NM60D和STP20NM60FP

对比图

型号 STF20NM60D STP20NM60FP STF20NM60A

描述 N沟道600V - 0.26ohm - 20A TO- 220 ， TO- 220FP - TO- 247 FDmesh功率MOSFET （具有快速二极管） N-CHANNEL 600V - 0.26ohm - 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 VN沟道650V @ TJMAX - 0.25欧姆 - 20A I2PAK / TO- 220 / TO- 220FP N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A I2PAK/TO-220/TO-220FP

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 - 3 -

耗散功率 45W (Tc) 45 W -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) -

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 20.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.25 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A -

上升时间 - 20 ns -

额定功率(Max) - 45 W -

下降时间 - 11 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.3 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -