对比图
型号 STB20NK50Z-S STB20NK50ZT4 STB20NK50Z
描述 N沟道500V -0.23ヘ - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 500V -0.23ヘ- 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFETN沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247N沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-263-3 D2PAK
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 17.0 A -
漏源极电阻 - 0.23 Ω -
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 - 190 W -
阈值电压 - 3.75 V -
漏源极电压(Vds) - 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 17.0 A 17A
上升时间 - 20 ns -
输入电容(Ciss) - 2600pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 190 W -
下降时间 - 15 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 190W (Tc) -
封装 - TO-263-3 D2PAK
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 - Cut Tape (CT) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -