对比图
型号 STFW4N150 STW4N150 2SK3748-1E
描述 STMICROELECTRONICS STFW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
额定电压(DC) - 1.50 kV -
额定电流 - 4.00 A -
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 5 Ω 7 Ω 5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 63 W 160 W 65 W
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 - 1.30 nF -
栅电荷 - 50.0 nC -
漏源极电压(Vds) 1.5 kV 1500 V 1.5 kV
漏源击穿电压 - 1.50 kV 1500 V
连续漏极电流(Ids) - 4.00 A 4A
上升时间 30 ns 30 ns 75 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 790pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 63 W 160 W -
下降时间 45 ns 45 ns 116 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 160000 mW 3W (Ta), 65W (Tc)
长度 15.7 mm 15.75 mm 15.5 mm
宽度 5.7 mm 5.15 mm 5.5 mm
高度 26.7 mm 20.15 mm 24.5 mm
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -