MJ802G和NTE181

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ802G NTE181 MJ802

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJ802G  单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 90 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 25 hFE 新NTE ELECTRONICS  NTE181  双极性晶体管STMICROELECTRONICS  MJ802  单晶体管 双极, NPN, 90 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) 90.0 V 100 V 90.0 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

针脚数 2 2 2

极性 NPN NPN, Dual P-Channel NPN

耗散功率 200 W 200 W 200 W

击穿电压(集电极-发射极) 90 V 90.0 V 90 V

集电极最大允许电流 30A 30A -

直流电流增益(hFE) 25 100 100

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW 200000 mW

集电极击穿电压 - - 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 25 - 25 @7.5A, 2V

额定功率(Max) 200 W - 200 W

热阻 0.875℃/W (RθJC) - -

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - 85412900951 -

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