对比图
型号 FDS6682 IRF8714PBF SI4162DY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6682 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOIC TubeVISHAY SI4162DY-T1-GE3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.0075 Ω 8.7 mΩ 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 5 W
产品系列 - IRF8714 -
阈值电压 1.7 V 2.35 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A -
输入电容(Ciss) 2310pF @15V(Vds) 1020pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 1 W 2.5 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 8 - 8
上升时间 7 ns - 15 ns
下降时间 16 ns - 10 ns
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2500 mW
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 14.0 A - -
输入电容 2.31 nF - -
栅电荷 22.0 nC - -
漏源击穿电压 30 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99