对比图
型号 IRFBF20L IRFBF20LPBF FQI2N90TU
描述 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin(3+Tab) TO-262N沟道 900V 2.2A
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
额定电压(DC) 900 V - 900 V
额定电流 1.70 A - 2.20 A
耗散功率 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.13 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 1.70 A - 2.20 A
上升时间 21.0 ns - 35 ns
输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
额定功率(Max) - 3.1 W 3.13 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 7.2 Ω
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 900 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
下降时间 - - 30 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 7.88 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free