IRF7452PBF和STS4NF100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7452PBF STS4NF100 HUF75631SK8

描述 N沟道 100V 4.5AN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET5.5A, 100V, 0.039ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 4.50 A 4.00 A -

漏源极电阻 0.06 Ω 65.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

产品系列 IRF7452 - -

输入电容 930pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.00 A -

上升时间 11.0 ns 45 ns -

输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 17 ns -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) -

长度 5 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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