对比图
描述 N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY IRFPG50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 4.30 A 6.10 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 3.5 Ω 2 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 180 W
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 1600pF @25V 2800pF @25V
漏源极电压(Vds) 1 kV 1 kV
漏源击穿电压 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 4.30 A 6.10 A
上升时间 33.0 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150 W 190 W
额定功率 - 190 W
下降时间 - 36 ns
长度 15.87 mm 15.87 mm
宽度 5.31 mm 5.31 mm
高度 20.7 mm 20.7 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free