LMV342IDR和LMV342MA/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV342IDR LMV342MA/NOPB MCP6V27-E/SN

描述 CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments低电压 CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsMCP6V26/27/28 Operational Amplifiers### 运算放大器,Microchip

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 5.50V (max) 2.30V (min)

工作电压 - - 2.3V ~ 5.5V

输出电流 - 75.0 mA 22 mA

供电电流 107 µA 107 µA 620 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 56 dB 56dB ~ 86dB 116 dB

静态电流 - - 800 µA

输入补偿漂移 1.90 µV/K 1.90 µV/K 50.0 nV/K

带宽 1 MHz 1 MHz 2 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 2 MHz

输入补偿电压 250 µV 700 µV 2 µV

输入偏置电流 1 pA 0.02 pA 7 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 2 MHz

共模抑制比(Min) 56 dB 56 dB 120 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 2.3V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5V ~ 6V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.58 mm 1.45 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

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