QST4TR和US6T4TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 QST4TR US6T4TR

描述 TSMT PNP 12V 3A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSOT-23-6 UMT-6

引脚数 - 6

极性 PNP PNP

耗散功率 1250 mW 1000 mW

增益频宽积 280 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 270 @500mA, 2V 270 @500mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 270 @500mA, 2V 270 @500mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - 1 W

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW

长度 2.9 mm 2 mm

宽度 1.6 mm 1.7 mm

高度 0.85 mm 0.77 mm

封装 TSOT-23-6 UMT-6

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台