FDC6327C和FDC6333C

对比图

型号 FDC6327C FDC6333C AO6601

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6327C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.9 A, 20 V, 0.069 ohm, 4.5 V, 900 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6333C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V30V,2.3A,互补型MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-457

额定电流 2.70 A 2.50 A -

通道数 - 2 -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.069 Ω 0.095 Ω -

极性 N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel N-Channel, P-Channel N+P

耗散功率 960 mW 960 mW 1.15 W

阈值电压 900 mV 1.8 V -

输入电容 315 pF 185 pF -

栅电荷 2.85 nC 4.10 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 20.0 V 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.70 A, 1.90 A 2.50 A, 2.00 A 3.4A/2.3A

上升时间 14.0 ns 13.0 ns -

输入电容(Ciss) 325pF @10V(Vds) 282pF @15V(Vds) 285pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 700 mW 1.15 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 0.96 W 0.96 W 1.15 W

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

额定功率 - - 0.73 W

长度 3 mm 3 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-457

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -