1N4732A,113和BZV85-C4V7,113

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4732A,113 BZV85-C4V7,113 1N4732A,133

描述 DO-41 4.7V 1WDO-41 4.7V 1.3WDO-41 4.7V 1W

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

正向电压 1.2V @200mA 1V @50mA 1.2V @200mA

耗散功率 1 W 1.3 W 1000 mW

测试电流 53 mA 45 mA 53 mA

稳压值 4.7 V 4.7 V 4.7 V

正向电压(Max) 1.2V @200mA 1V @50mA 1.2V @200mA

额定功率(Max) 1 W 1.3 W 1 W

耗散功率(Max) - 1300 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

封装 DO-41 DO-41 DO-41

宽度 - - 2.6 mm

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃

温度系数 - -0.65 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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