MMBT6517LT1G和MMBT6517LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6517LT1G MMBT6517LT3G DN350T05-7

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT6517LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE高压晶体管 High Voltage TransistorDN350T05 系列 NPN 350 V 300 mW 小信号 表面贴装 晶体管 -SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 350 V 350 V 350 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

额定功率 - - 0.3 W

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 15 - 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 300 mW 300 mW

频率 200 MHz 200 MHz -

增益频宽积 - 200 MHz -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3.04 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 1.11 mm 0.94 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

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