高压晶体管 High Voltage Transistor
Features
•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
得捷:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
频率 200 MHz
额定电压DC 350 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT6517LT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT6517LT1 安森美 | 完全替代 | MMBT6517LT3G和MMBT6517LT1的区别 |
MMBT6517LT3 安森美 | 完全替代 | MMBT6517LT3G和MMBT6517LT3的区别 |
MMBT6517LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT6517LT3G和MMBT6517LT1G的区别 |