对比图
型号 STF21NM60N STF22NM60N
描述 N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFETSTMICROELECTRONICS STF22NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V -
额定电流 17.0 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 180 mΩ 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 30 W
输入电容 1.95 nF -
栅电荷 66.6 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V -
连续漏极电流(Ids) 17.0 A -
上升时间 15 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 30 W
下降时间 31 ns 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 30W (Tc)
针脚数 - 3
阈值电压 - 3 V
长度 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.3 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99