IXFC24N50和IXFH21N50F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFC24N50 IXFH21N50F STW28NM50N

描述 ISOPLUS N-CH 500V 21AIXYS RF  IXFH21N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247ADSTMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 ISOPLUS-220 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - - 0.135 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 230W (Tc) 300 W 150 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 21A 21.0 A 21A

上升时间 - 12.0 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1735pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 150 W

下降时间 - - 52 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)

长度 - - 15.75 mm

宽度 - - 5.15 mm

高度 - - 20.15 mm

封装 ISOPLUS-220 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台