MRF6S18060NR1和MRF8P20140WHSR3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF6S18060NR1 MRF8P20140WHSR3 MRF18030ALSR3

描述 Trans RF MOSFET N-CH 68V 5Pin TO-270W T/RRF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 140W, Typ Gain in dB is 16 @ 1920MHz, 28V, LDMOS, SOT1826Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-400S T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 5 5 -

封装 TO-270 NI-780HS-4 NI-400S

频率 1.99 GHz 1.88GHz ~ 1.91GHz 1.81GHz ~ 1.88GHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出功率 60 W 24 W 30 W

增益 15 dB 16 dB 14 dB

测试电流 600 mA 500 mA 250 mA

工作温度(Max) 200 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

额定电压 68 V 65 V 65 V

电源电压 - 28 V -

额定电压(DC) 26.0 V - -

额定电流 10 µA - -

耗散功率 216000 mW - -

漏源极电压(Vds) 68 V - -

耗散功率(Max) 216000 mW - -

封装 TO-270 NI-780HS-4 NI-400S

重量 - 3086.1 mg -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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